數字孿生 Digital Twin
為機台與製程建立虛擬對照體,於模型中先行驗證條件變更與維護排程。
9
大主製程設備段
16
個日系主力設備品牌
5
項核心業務
WHAT WE DO
從設備到製程、從人才到人工智能的完整覆蓋。
01
Lithography
曝光、旋塗與顯影設備,決定線寬與圖形精度。
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02
Etch
乾式與電漿蝕刻設備,掌握關鍵尺寸與側壁形貌。
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03
Chemical Vapor Deposition
薄膜沉積設備,控制膜厚均勻度與階梯覆蓋。
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04
Thermal / Bake
爐管與熱盤設備,管理熱預算與批次一致性。
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05
Ion Implantation
摻雜濃度與深度控制,決定元件電性表現。
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06
Chemical Mechanical Polishing
平坦化與減薄設備,維持疊層良率與平整度。
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07
Wafer Cleaning
清洗與乾燥設備,抑制顆粒與化學殘留缺陷。
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08
Wafer Inspection & Test
量測、缺陷檢測與電性測試設備。
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09
Mask / Reticle
電子束寫入與掩模檢查設備,源頭決定圖形品質。
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上列品牌設備由倍特爾提供採購、銷售及維護服務;品牌名稱為其各自所有權人之商標,僅供設備說明之用。
AI × ADVANCED MANUFACTURING
以數字孿生、物理仿真與生成式微影為三大貫穿主軸。
倍特爾將產業與學界公開的前沿架構,對標到九大製程的實際使用場景。
以下架構為第三方研究成果,作為倍特爾導入與對標的技術基準。
為機台與製程建立虛擬對照體,於模型中先行驗證條件變更與維護排程。
以電漿、熱傳、離子傳輸等物理模型推算製程行為,減少試片與試跑次數。
以生成式方法處理微影圖形與反演式微影修正,加速光學鄰近效應優化。
| 架構(年份) | 對標指標 | 應用製程 |
|---|---|---|
| DeepOHeat-v1(2025) | MAPE 0.035%、訓練時間 -62× | 化學氣相沉積、烘烤製程 |
| TSMC 智慧製造 RNN 時序 FDC + 聯邦學習 | 約 92% 預測準確率、逃逸率 -15% | 蝕刻段、CMP 研磨 |
| G2LGAN+CNN(2025) | Accuracy 98.39%、F1 93.01% | 晶圓檢測 |
本表為第三方學術與業界公開發表之架構與量化結果,係倍特爾導入與對標之基準,非倍特爾自有量測數據。
WHY BETTER
一個窗口,覆蓋設備、製程、人才與 AI 四個面向。
九大製程逐段對應日系主力設備品牌,選型時可跨段比較與整合規劃。
採購、驗機、拆機、包裝、運送、進場、安裝與調試由同一團隊統籌。
不只交付機台,並協助製程條件建立與操作維護培訓,縮短爬坡期。
以數字孿生、物理仿真與缺陷模型對標導入,強化良率與稼動管理。