電漿物理仿真＋腔體數字孿生
以物理模型推算電漿分布與蝕刻速率，於虛擬腔體先行驗證條件。
對標／導入之前沿架構
ETCH
蝕刻段設備
Etch
定義結構尺寸與側壁形貌的關鍵段。
EQUIPMENT SCOPE
設備範圍
- TEL 半導體蝕刻設備
- SAMCO 半導體蝕刻設備
以日系主力品牌為主，涵蓋乾式與電漿蝕刻機台配置。
SERVICES
服務內容
- 設備採購與機種評估選型
- 設備狀態查驗與驗機協助
- 拆機、包裝與跨境運送
- 進場安裝與製程調試
- 腔體維護保養與耗材規劃
- 蝕刻製程技術導入
- 操作與維護人員培訓
AI INTEGRATION
AI 整合
以下為倍特爾對標導入的第三方前沿架構。
TSMC 智慧製造 RNN 時序 FDC＋聯邦學習
以設備感測時序預測良率影響缺陷，跨廠協作而不共享原始資料。
對標／導入之前沿架構
終點偵測（Endpoint Detection）模型
以光譜與時序訊號判定蝕刻終點，抑制過蝕與欠蝕。
對標／導入之前沿架構
USE CASES
適用場景
- 關鍵尺寸控制需求提升的產線
- 化合物半導體與先進封裝蝕刻需求
- 移機後需重建蝕刻條件的廠區
- 研究機構建立蝕刻實驗能力