等离子体物理仿真＋腔体数字孪生
以物理模型推算等离子体分布与刻蚀速率，在虚拟腔体中先行验证条件。
对标／导入的前沿架构
ETCH
刻蚀段设备
Etch
定义结构尺寸与侧壁形貌的关键工艺段。
EQUIPMENT SCOPE
设备范围
- TEL 半导体刻蚀设备
- SAMCO 半导体刻蚀设备
以日系主力品牌为主，涵盖干法与等离子体刻蚀设备配置。
SERVICES
服务内容
- 设备采购与机型评估选型
- 设备状态查验与验机协助
- 拆机、包装与跨境运输
- 进场安装与工艺调试
- 腔体维护保养与耗材规划
- 刻蚀工艺技术导入
- 操作与维护人员培训
AI INTEGRATION
AI 整合
以下为倍特尔对标导入的第三方前沿架构。
TSMC 智能制造 RNN 时序 FDC＋联邦学习
以设备传感时序预测影响良率的缺陷，跨厂协作而不共享原始数据。
对标／导入的前沿架构
终点检测（Endpoint Detection）模型
以光谱与时序信号判定刻蚀终点，抑制过刻与欠刻。
对标／导入的前沿架构
USE CASES
适用场景
- 关键尺寸控制要求提升的产线
- 化合物半导体与先进封装刻蚀需求
- 移机后需重建刻蚀条件的厂区
- 研究机构建立刻蚀实验能力