CMP

CMP(化学機械研磨)装置

Chemical Mechanical Polishing

積層構造の平坦度と薄化品質を維持する平坦化工程です。

CMP の研磨定盤と研磨ヘッドが稼働するクローズアップ。スラリーが流れ、濡れた金属表面が反射する様子

EQUIPMENT SCOPE

取扱装置の範囲

  • EBARA の CMP 研磨装置
  • ACCRETECH の CMP・ウェーハ加工装置

日系主力ブランドを中心に、平坦化研磨とウェーハ薄化の装置をカバーします。

研磨後のウェーハの鏡面をクローズアップ。周囲の線が映り込み、平坦度が分かる様子

SERVICES

サービス内容

  • 装置の調達と機種選定の評価
  • 装置状態の確認と受入検査の支援
  • 解体・梱包・越境輸送
  • 搬入据付、給排水の接続と立ち上げ調整
  • 研磨ヘッド・パッド・消耗品の保守計画
  • 平坦化プロセス条件の導入
  • 操作・保守要員の人材育成

AI INTEGRATION

AI 統合

以下は BETTER がベンチマークする第三者の最先端アーキテクチャです。

研磨の物理シミュレーション

圧力分布、除去レート、パッド摩耗をモデル化し、ウェーハ面内の除去均一性を予測します。

ベンチマーク指標:シミュレーションで研磨条件ウィンドウを絞り込み

ベンチマーク/導入対象の最先端アーキテクチャ

PDF Exensio (2025) XGBoost+PCA

欠陥、計測、電気特性テスト、FDC のデータを統合し、ダイおよびウェーハの歩留まりを予測します。

ベンチマーク指標:閾値調整で overkill/underkill のバランスを最適化

ベンチマーク/導入対象の最先端アーキテクチャ

TSMC スマート製造 RNN 時系列 FDC

研磨装置のセンサー時系列から異常傾向と歩留まり影響因子を検出します。

ベンチマーク指標:予測精度 約 92%(28–3nm)、流出率 -15%

ベンチマーク/導入対象の最先端アーキテクチャ

AI ビジュアライゼーション:ウェーハ除去レート分布図と歩留まり予測の指標カードを並置

USE CASES

適用シーン

  • 厳密な平坦度制御が必要な多層金属配線
  • 先端パッケージングでのウェーハ薄化ニーズ
  • CMP 装置の移設と給排水系統の再構築
  • 研究機関が平坦化の実験能力を立ち上げる場合

GET IN TOUCH

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装置選定から据付、AI 導入まで、ワンストップでご対応します。