モンテカルロによるドーピングプロファイル物理シミュレーション
イオン輸送の物理モデルでドーピング濃度プロファイルとチャネリング効果を算出します。
ベンチマーク／導入対象の最先端アーキテクチャ
ION IMPLANTATION
イオン注入装置
Ion Implantation
ドーピング濃度と深さを制御し、デバイスの電気特性を決めます。
EQUIPMENT SCOPE
取扱装置の範囲
- ULVAC のイオン注入装置
- NISSIN のイオン注入装置
日系主力ブランドを中心に、異なるエネルギー領域のイオン注入装置をカバーします。
SERVICES
サービス内容
- 装置の調達と機種選定の評価
- 装置状態の確認と受入検査の支援
- 解体・梱包・越境輸送
- 搬入据付、ビーム電流の校正と立ち上げ調整
- イオン源と真空システムの保守点検
- ドーピングプロセス条件の導入
- 操作・保守要員の人材育成
AI INTEGRATION
AI 統合
以下は BETTER がベンチマークする第三者の最先端アーキテクチャです。
BPINN-EM-Post （2025） ベイズ PINN の考え方
物理残差と観測を組み合わせ、プロセス予測の不確実性区間を定量化します。
ベンチマーク／導入対象の最先端アーキテクチャ
GPR 空間モデリング（KGD／外れ値検出）
ガウス過程でウェーハ面内のパラメータ分布をモデル化し、空間的な外れ値を検出します。
ベンチマーク／導入対象の最先端アーキテクチャ
USE CASES
適用シーン
- 精密なドーピング制御が必要な先端デバイスのプロセス
- パワーデバイスおよび化合物半導体の生産ライン
- 注入装置の移設とビーム電流の再校正
- 研究機関がドーピングの実験能力を立ち上げる場合
GET IN TOUCH
生産ラインのご要望をお聞かせください
装置選定から据付、AI 導入まで、ワンストップでご対応します。