CMP

CMP 研磨設備

Chemical Mechanical Polishing

維持疊層平坦度與減薄品質的平坦化段。

CMP 研磨盤與研磨頭運轉特寫,研磨液流動、濕潤金屬表面反光

EQUIPMENT SCOPE

設備範圍

  • EBARA CMP 研磨設備
  • ACCRETECH CMP 與晶圓加工設備

以日系主力品牌為主,涵蓋平坦化研磨與晶圓減薄設備。

研磨後晶圓的鏡面表面特寫,反射環境線條,展現平坦度

SERVICES

服務內容

  • 設備採購與機種評估選型
  • 設備狀態查驗與驗機協助
  • 拆機、包裝與跨境運送
  • 進場安裝、水路與排廢接續及調試
  • 研磨頭、墊材與耗材維護規劃
  • 平坦化製程條件導入
  • 操作與維護人員培訓

AI INTEGRATION

AI 整合

以下為倍特爾對標導入的第三方前沿架構。

研磨物理仿真

建模壓力分布、去除率與墊材磨耗,推算晶圓內移除均勻度。

對標指標:以仿真收斂研磨條件視窗

對標/導入之前沿架構

PDF Exensio (2025) XGBoost+PCA

整合缺陷、計量、電測與 FDC 資料,預測 die 與晶圓良率。

對標指標:可調閾值平衡 overkill/underkill

對標/導入之前沿架構

TSMC 智慧製造 RNN 時序 FDC

以研磨機台感測時序偵測異常趨勢與良率影響因子。

對標指標:約 92%(28–3nm)、逃逸率 -15%

對標/導入之前沿架構

AI 視覺化:晶圓移除率分布圖與良率預測指標卡並置

USE CASES

適用場景

  • 多層金屬互連需要嚴格平坦度控制
  • 先進封裝晶圓減薄需求
  • CMP 設備移機與水路重建
  • 研究機構建立平坦化實驗能力

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