CVD

化學氣相沉積設備

Chemical Vapor Deposition

控制膜厚均勻度與階梯覆蓋的薄膜沉積段。

直立式爐管設備外觀,管路與加熱段層次分明,冷白光、極簡構圖

EQUIPMENT SCOPE

設備範圍

  • KOKUSAI ELECTRIC (KE) 化學氣相沉積設備
  • MATSUSHITA 化學氣相沉積設備

以日系主力品牌為主,涵蓋批次式與單片式薄膜沉積設備。

晶舟載入爐管的瞬間特寫,多片晶圓整齊排列,暖白背光

SERVICES

服務內容

  • 設備採購與機種評估選型
  • 設備狀態查驗與驗機協助
  • 拆機、包裝與跨境運送
  • 進場安裝、氣體管路接續與調試
  • 維護保養與耗材備品規劃
  • 薄膜製程技術導入
  • 操作與維護人員培訓

AI INTEGRATION

AI 整合

以下為倍特爾對標導入的第三方前沿架構。

DeepOHeat-v1 (2025)

以 DeepONet+KAN 建立熱場代理模型,快速推算腔體與晶圓熱分布。

對標指標:MAPE 0.035%、訓練 -62×、記憶體 -31×

對標/導入之前沿架構

ThermEDGe / IREDGe

以 Encoder-Decoder CNN 推算溫度輪廓與電熱耦合影響。

對標指標:平均 IR 誤差 0.053mV

對標/導入之前沿架構

腔體數字孿生

建立沉積腔體虛擬對照體,模擬氣流、溫度與膜厚均勻度。

對標指標:以虛擬驗證縮短條件建立週期

對標/導入之前沿架構

AI 視覺化:晶圓熱場等高線與膜厚均勻度色階圖,深藍底、光譜色階

USE CASES

適用場景

  • 需要提升膜厚均勻度與批次一致性的產線
  • 新增薄膜製程能力的擴產專案
  • 爐管設備移機與重新驗證
  • 研究機構建立薄膜沉積實驗能力

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