蒙地卡羅摻雜剖面物理仿真
以離子傳輸物理模型推算摻雜濃度剖面與通道效應。
對標／導入之前沿架構
ION IMPLANTATION
離子植入設備
Ion Implantation
決定摻雜濃度、深度與元件電性的關鍵段。
EQUIPMENT SCOPE
設備範圍
- ULVAC 離子植入設備
- NISSIN 離子植入設備
以日系主力品牌為主，涵蓋不同能量區間的離子植入機台。
SERVICES
服務內容
- 設備採購與機種評估選型
- 設備狀態查驗與驗機協助
- 拆機、包裝與跨境運送
- 進場安裝、束流校正與調試
- 離子源與真空系統維護保養
- 摻雜製程條件導入
- 操作與維護人員培訓
AI INTEGRATION
AI 整合
以下為倍特爾對標導入的第三方前沿架構。
BPINN-EM-Post （2025） 貝氏 PINN 思路
將物理殘差與觀測結合，量化製程預測的不確定性區間。
對標／導入之前沿架構
GPR 空間建模（KGD／離群偵測）
以高斯過程建模晶圓級參數分布，偵測空間性離群。
對標／導入之前沿架構
USE CASES
適用場景
- 需要精準摻雜控制的先進元件製程
- 功率元件與化合物半導體產線
- 植入機移機與束流重新校正
- 研究機構建立摻雜實驗能力